| 专利名称 | 一种半导体纳米材料器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110455639.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103187249A | 公开（授权）日 | 2013.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘冬华;张广宇;时东霞 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体纳米材料器件及其制作方法 至一种半导体纳米材料器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体纳米材料器件及其制作方法，制作方法包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述轻掺杂半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四，去除所述过渡层的未被所述电极覆盖的区域；步骤五，进行半导体纳米材料器件的后续加工。本发明采用在低掺杂的半导体材料表面沉积高掺杂的过渡层来减小材料与金属电极之间的接触，之后去除电极之外的高掺杂层，既保证了较小的接触电阻，同时也消除了高掺杂层对器件的影响，使器件的性能有很大的提高。 |
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