| 专利名称 | 高深宽比深孔的种子层的制备方法 | 申请号 | CN201110457844.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103187364A | 公开（授权）日 | 2013.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈骁;罗乐;徐高卫 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 专利有效期 | 高深宽比深孔的种子层的制备方法 至高深宽比深孔的种子层的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，包括，提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层和所述种子层时，加热使所述晶圆达到200℃至250℃，并旋转所述晶圆；在蒸发沉积所述种子层时，采用分步沉积法。根据本发明的制备方法，能够实现深宽比达到10、深度为280um的深孔的种子层连续覆盖，能够对不同尺寸的TSV实现种子层的连续覆盖；并且工艺过程简单，可操作性强；该方法只需一步完成，降低了工艺的时间和成本，适合于工业化生产。 |
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