| 专利名称 | 张应力 LPCVD SiO2膜的制造方法 | 申请号 | CN201110448748.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103183307A | 公开（授权）日 | 2013.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 张应力 LPCVD SiO2膜的制造方法 至张应力 LPCVD SiO2膜的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种张应力LPCVD?SiO2膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；对压应力SiO2膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO2膜退火使得压应力SiO2膜转变为应力为F2的张应力SiO2膜，F2＞0。依照本发明的LPCVD张应力SiO2膜制备工艺，其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容，不但实现双材料悬臂梁的应力匹配，而且明显增强SiO2的抗XeF2腐蚀能力，最终使采用Al和SiO2双材料的、应力匹配的悬臂梁制作成功实现。 |
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