| 专利名称 | 晶体生长炉 | 申请号 | CN201310124381.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103184514A | 公开（授权）日 | 2013.07.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王劼;张立国;范亚明;张洪泽 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体生长炉 至晶体生长炉 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶体生长炉，包括反应室和加热装置，所述的反应室包括第一热壁和第二热壁，所述的第一热壁和第二热壁可拆卸连接，且所述的第一热壁和第二热壁围成晶体的反应空间，所述的第二热壁的材质为石墨，所述的加热装置配合第二热壁设置以对其进行加热；所述第一热壁的材质为高温耐热材料。该装置中的反应室的保温、隔热不采用石墨毡，消除了采用石墨毡来保温和隔热所造成的反应室杂质污染的问题，极大的降低了外延片的背景载流子浓度；并且，采用可拆卸式热壁，易于安装，更换方便。 |
1、源头对接，价格透明
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