| 专利名称 | 一种IGBT版图 | 申请号 | CN201220587115.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203026511U | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 喻巧群;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT版图 至一种IGBT版图 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括栅极总线，所述栅极总线位于所述有源区的至少三条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，所述栅极总线与所述栅极压焊点电连接。通过栅极总线将栅极电压传导到各个元胞处，能够保证各处的元胞同时开启，从而达到电流分布均匀。同时，克服了现有技术中电流路径增大，导致器件开态电阻增大的问题。 |
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