| 专利名称 | 一种自动聚焦垂直腔面发射激光器 | 申请号 | CN201310066180.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103178443A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张星;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 专利有效期 | 一种自动聚焦垂直腔面发射激光器 至一种自动聚焦垂直腔面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种自动聚焦垂直腔面发射激光器属于半导体激光器领域，该激光器包括P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底层、包覆在P型DBR层上的下电极和敷设在衬底层上的上电极；所述的上电极在覆盖出光窗口处的部分为同心环形或不等间距栅条或交叉栅条结构，带有上述结构的上电极可通过一次lift-off工艺形成，利用该上电极可在无需外加光束整形装置的条件下将激光器输出光束在指定平面聚焦为点光斑、线光斑或十字形光斑，在局部大幅度提高激光功率密度，满足广泛的应用需求。本发明中的自动聚焦垂直腔面发射半导体激光器制造工艺简单，重复性好，容易推广。 |
1、源头对接，价格透明
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