| 专利名称 | 一种改良栅结构的晶体管 | 申请号 | CN201310085224.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103178116A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 戴明志 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改良栅结构的晶体管 至一种改良栅结构的晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改良栅结构的晶体管，包括基底和处在基底上的介质层，所述介质层上设有一源区、一漏区以及连通在所述源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区内设有第一顶栅作为晶体管的输出极，其输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1，在沟道区截断时为逻辑0；所述晶体管还设有至少两个作为控制沟道区的输入极；其中至少有一个输入极为第二顶栅；还有至少有一个输入极为第三顶栅和/或底栅；所述第二顶栅和第三顶栅均位于所述介质层上，且处在所述沟道区的旁边。本发明晶体管，能够减少逻辑电路中晶体管的个数，使逻辑电路的制备方法简单，器件面积减少，从而提高逻辑电路的成品率，降低制作成本，并且可以方便改善调整逻辑电路器件的电学性能。 |
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