| 专利名称 | 闪存及闪存的地址转换方法 | 申请号 | CN201310071967.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103176916A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 郁志平;张耀辉 | 主分类号 | G06F12/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F12/10(2006.01)I | 专利有效期 | 闪存及闪存的地址转换方法 至闪存及闪存的地址转换方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种闪存，与SRAM通信连接，由物理块组成，其中物理块由多个物理页组成，逻辑页与物理页一一对应，物理页内包括第二级映射表以及第三级映射表，多个物理块组成一个超级块，还包括：获取模块、记录模块、建立模块、判断模块以及输出模块，本发明通过利用超级块分配表在SRAM上建立第一级映射表，并判断第二级映射表、第三级映射表以及超级块分配表的缓存来得到物理页的地址，在SRAM上根据第一级映射表建立第二级映射表的缓存，根据第二级映射表的缓存建立第三级映射表的缓存，并根据第二级映射表的缓存、第三级映射表的缓存以及超级块分配表的缓存联合得到所述物理块的块号，以获得所述逻辑页的物理地，有效的提高了地址转换的效率。 |
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