| 专利名称 | 后栅工艺中假栅的制造方法 | 申请号 | CN201110433706.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103177946A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰;赵玉印;卢一泓 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 后栅工艺中假栅的制造方法 至后栅工艺中假栅的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种后栅工艺中假栅的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成假栅材料层、硬掩模材料层，其中硬掩模材料层包括PSG的第一掩模层以及TEOS氧化硅的第二掩模层；采用干法和DHF湿法分别刻蚀硬掩模材料层，形成上宽下窄的硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，干法刻蚀假栅材料层，形成上宽下窄的假栅。依照本发明的假栅制造方法，将之前垂直的假栅制作成上宽下窄的正梯形假栅；在假栅被移除后，可形成正梯形沟槽；从而大大有利于后续高K或是金属栅材料的填充，扩大填充工艺窗口，从而提高了器件的可靠性。 |
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