| 专利名称 | 一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法 | 申请号 | CN201310090689.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103176354A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 谢红;王浩敏;孙秋娟;刘晓宇;谢晓明 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法 至一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法，所述电子束曝光图形化方法包括以下步骤：1）提供一绝缘衬底；2）在所述绝缘衬底上旋涂电子束光刻胶；3）在所述电子束光刻胶上表面形成金属薄膜；4）进行电子束曝光得到所需光刻图形；5）在得到的光刻图形上沉积金属层，形成金属电极；6）剥离，去除光刻胶及多余金属后得到所需金属图形。本发明采用双层电子束光刻胶进行曝光，显影可以获得有利于后续金属剥离工艺的undercut结构，在双层胶上蒸发不连续的金属薄膜，再进行电子束曝光，能有效地将绝缘衬底表面的电荷导走，形成精确的曝光图形。本发明提供的图形化技术适用于各种绝缘衬底上的微纳器件加工工艺，克服了现有技术中的缺点而具高度产业利用价值。 |
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