| 专利名称 | 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 | 申请号 | CN201310060711.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103177971A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 至基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备NMOS器件的方法和相应的NMOS器件，所述包括：步骤S1、选择<100>向<111>方向偏离6°～10°的硅衬底，并在此硅衬底上生长SiO2层；步骤S2、刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个高宽比大于2的沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3、在100～150mBar的生长压力下，采用MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长势垒层、缓冲层和顶层；步骤S4、在顶层上制作源极、漏极和栅极。本发明使界面处的失配位错和反相畴边界截止在SiO2壁上，有效约束了异质结界面缺陷的延伸，并能提高外延层的质量，使得作为NMOS的衬底时得到良好的器件质量。 |
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