| 专利名称 | 低温高覆盖性侧墙制造方法 | 申请号 | CN201110433694.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103177952A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊 | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 低温高覆盖性侧墙制造方法 至低温高覆盖性侧墙制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种薄膜制造方法，包括：清洁腔体、稳定腔体并将晶圆送入腔体中；通入反应气体以及稀释保护气体，控制反应腔压力小于等于0.2T；激发射频，产生等离子体，在等离子体作用下使得吸附在晶圆上的反应气体反应形成薄膜材料，其中，控制反应腔温度为200～400℃；完成所需的薄膜厚度生长后，关闭射频，停止通入反应气体，取出晶圆。依照本发明的薄膜制造方法，通过控制PECVD方法及其设备的温度、RF频率以及压力等工艺参数，获得了高台阶覆盖率和高底部填充率的良好共型性薄膜，提高了器件的绝缘隔离性能和增大了侧墙形成工艺干法刻蚀工艺窗口。 |
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