| 专利名称 | 样品位错的扫描透射电镜成像方法 | 申请号 | CN201310083610.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103175856A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 牛牧童;吴东昌;张锦平;黄凯;张燚;董晓鸣;曾雄辉;徐科 | 主分类号 | G01N23/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/22(2006.01)I | 专利有效期 | 样品位错的扫描透射电镜成像方法 至样品位错的扫描透射电镜成像方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种样品位错的扫描透射电镜成像方法，包括如下步骤：在普通透射电镜模式下，倾转样品，拍摄样品在第一晶向的衍射谱，并标定；倾转样品，使样品的位错先后在双束衍射状态下分别成像；将电镜切换进入扫描透射模式，利用高角环形暗场探测器收集图像，分别得到与上述双束衍射对应的扫描透射电镜位错成像。本发明的优点在于，样品处于不同衍射矢量的“双束衍射”位置时，扫描透射电镜成像对不同类型的位错表现出与传统透射电镜位错“双束”衍射衬度像一致的响应关系，即该方法可用于观察和区分半导体材料中不同类型的位错。 |
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