| 专利名称 | 大尺寸碳化硅单晶生长装置 | 申请号 | CN201110440573.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103173863A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘熙;严成峰;忻隽;孔海宽;肖兵;杨建华;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 大尺寸碳化硅单晶生长装置 至大尺寸碳化硅单晶生长装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全贴合整个孔的特制外形的保温材料放进孔内铺平，然后将石墨盖片放入孔内并用力压平。这样使坩埚盖内部有一个夹心保温层，使坩埚盖表面对外综合散热均匀，减小晶体生长的径向温度梯度。 |
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