| 专利名称 | 用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201110440347.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103173861A | 公开（授权）日 | 2013.06.26 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高攀;涂小牛;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/30(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 专利有效期 | 用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法 至用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该晶体可以采用提拉法或坩埚下降法等晶体生长方法制备，并通过优化生长气氛、掺杂元素及后处理条件，可以显著提高晶体高温下的电阻率。采用该晶体制作的压电元件首次成功应用于-200℃～649℃的超高温压电加速度传感器，该掺杂型高电阻率LGT晶体材料在未来的超高温压电器件中具有良好的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障