| 专利名称 | 一种IGBT | 申请号 | CN201220657534.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203013733U | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;吴振兴 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT 至一种IGBT | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种IGBT，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构；位于两个沟槽栅结构之间的开口；位于开口底部的平面假栅结构，该平面假栅结构的厚度小于或等于开口的深度。本实用新型所提供的IGBT在两个沟槽栅结构之间设置有一个平面假栅结构，使沟槽栅结构之间的距离变大，从而使单位面积芯片导电沟道的密度降低，提高了器件的抗短路能力；并且，本实用新型中的平面假栅结构并不形成导电沟道，且能够改善沟槽栅处的电场分布，使器件在保证器件具有较强的抗短路能力的基础上，其击穿电压不会减小。 |
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