| 专利名称 | 一种半导体器件 | 申请号 | CN201220647148.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203013732U | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；阱区，所述阱区形成于所述半导体衬底内；栅极总线，所述栅极总线形成于所述阱区的表面；第一场板，所述第一场板形成于所述半导体衬底表面且覆盖部分阱区；其中，所述第一场板与所述栅极总线电连接。本实用新型提供的半导体器件的第一场板与栅极总线电连接，使第一场板与栅极总线的电位保持一致，那么，当半导体器件承受相同的反向电压时，第一场板与半导体衬底之间的偏压差会有所增大，使得半导体表面的耗尽区进一步展宽，从而使半导体器件的反向耐压能力得到加强。 |
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