| 专利名称 | IGBT背面集电极结构 | 申请号 | CN201320013251.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203013730U | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯 | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | IGBT背面集电极结构 至IGBT背面集电极结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种IGBT背面集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本实用新型用于改善场截止型IGBT的性能。 |
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