| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201110409652.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165622A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，该方法包括衬底、绝缘应力塞、半导体基体、栅极堆叠、侧墙、源/漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源/漏区嵌于所述半导体基体中，并位于所述栅极堆叠的两侧，所述半导体基体嵌于所述绝缘应力塞中，在沿栅极长度的方向上，所述半导体基体中间的厚度大于其两侧的厚度，在沿栅极宽度的方向上，所述半导体基体与所述衬底相连，所述绝缘应力塞嵌于所述衬底中，在沿栅极长度的方向上，所述绝缘应力塞中间的厚度小于其两侧的厚度。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。利于抑制短沟效应，提高载流子的迁移率，提高器件性能。 |
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