| 专利名称 | 一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构 | 申请号 | CN201310114204.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103166628A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵建中;卜山;刘海南;黑勇;周玉梅 | 主分类号 | H03K19/094(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/094(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构 至一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构。其中Vinn和Vinp为LVDS驱动器预驱动模块的输出，用来控制LVDS驱动器输出驱动模块的四个开关MOS管。与常规LVDS驱动器电路相比，该电路特点为：通过正反馈分流机制，在不增加任何功耗的基础上，仅仅通过增加四个开关MOS管便可以有效降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载电容即预驱动模块的输出负载电容，降低了LVDS驱动器预驱动部分的功耗，因而提高了整体驱动器的性能。 |
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