| 专利名称 | 用STI的拐角应力增强MOSFET性能 | 申请号 | CN201110417139.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165456A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 专利有效期 | 用STI的拐角应力增强MOSFET性能 至用STI的拐角应力增强MOSFET性能 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用STI的拐角应力增强MOSFET性能。制作MOS器件的方法包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成沟槽以及由沟槽围绕的两个MOS区；在所述沟槽中填充应变氮化物；至少去除与在每个MOS区上欲形成沟道的位置紧邻的、沟槽中的应变氮化物，以形成露出区域；在所述露出区域中填充介质材料；以及在MOS区上形成MOS器件，其中在欲形成沟道的位置形成沟道，在沟道上方形成栅极，以及在沟道两侧形成源极和漏极；其中在沟道的长度方向上每个露出区域的边界基本上与欲形成沟道的位置的边界对齐，或者每个露出区域的边界沿着沟道的长度方向扩展，直到与对应的MOS区边界对齐。 |
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