| 专利名称 | 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法 | 申请号 | CN201110418819.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165408A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 薛忠营;张苗;狄增峰;魏星;陈达 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C30B29/68(2006.01)I | 专利有效期 | 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法 至一种嵌入超晶格制备应变Si的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层，且y≠x，形成Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，以在所述Si衬底上制备出超晶格，接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。 |
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