| 专利名称 | 一种制备GOI的方法 | 申请号 | CN201110418133.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165511A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 姜海涛;张苗;狄增峰;卞剑涛;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备GOI的方法 至一种制备GOI的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si1-xGex层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥离层，接着进行退火使其剥离。采用本方法能达到低剂量离子注入实现GOI材料的制备，且制备出的GOI材料具有高纯度、低缺陷的特点。本方法工艺简单，适合工业生产。 |
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