| 专利名称 | 制备MSM结构CZT探测器的方法 | 申请号 | CN201310106858.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165757A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 裴为华;归强;陈三元;陈远方;陈弘达 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 制备MSM结构CZT探测器的方法 至制备MSM结构CZT探测器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备MSM结构CZT探测器的方法。该方法通过贴压的方法，将电极与CZT晶体进行组装，从而避免了CZT晶体的损伤，解决了小尺寸CZT晶体边缘附近电极图形化困难等工艺问题，简化了制备工艺。 |
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