| 专利名称 | 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 | 申请号 | CN201310079069.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165418A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 至在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障