| 专利名称 | MOSFET制造方法 | 申请号 | CN201110419341.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165458A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 付作振;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET制造方法 至MOSFET制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括步骤：步骤S1，在衬底上形成第一应力层；步骤S2，在第一应力层中形成假栅凹槽；步骤S3，在假栅凹槽中淀积形成假栅；步骤S4，去除第一应力层，留下假栅；以及步骤S5，执行后续工艺完成MOSFET制造。依照本发明的MOSFET制造方法，在应力绝缘薄膜中形成栅极形状的凹槽过程通过应力释放在器件沟道区引入应变，导致晶格形变并被记忆住，进而提高器件的电学性能。 |
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