| 专利名称 | 一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法 | 申请号 | CN201110412670.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165378A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;汪明刚;屈芙蓉;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法 至一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中剂量检测方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：确定注入的离子种类、每种离子所带单位电荷数、每种离子占总离子数的比例以及所有注入离子的总电流密度；通过积分运算获得离子的注入剂量。本发明能够获得某一种离子的注入剂量，几种注入离子的注入剂量，所有离子注入剂量以及某一种元素的注入原子剂量；还能够获得某一种离子的注入剂量随注入时间的变化，几种注入离子的注入剂量随时间的变化，所有离子注入剂量随时间的变化以及某一种元素的注入原子剂量随时间的变化。 |
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