| 专利名称 | 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 | 申请号 | CN201310069787.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165446A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 至一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可用于硅基集成的HEMT器件的制作方法及相应的HEMT器件，所述方法通过在锗上生长掺Fe的GaInP作为半绝缘层，生长GaInP作为缓冲层，在GaInP缓冲层上再制作HEMT器件。本发明可以有效地解决HEMT工艺与COMS工艺相兼容的问题，可为HEMT的硅基集成提供基础。 |
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