| 专利名称 | 一种等离子体浸没注入装置 | 申请号 | CN201110412440.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165376A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;刘杰;屈芙蓉;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体浸没注入装置 至一种等离子体浸没注入装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体涉及一种等离子体浸没注入装置。所述等离子体浸没注入装置，包括真空腔室、注入电极、电源部分和真空系统，所述真空腔室包括预注入腔室和注入腔室，所述预注入腔室和注入腔室之间设有插板阀，所述插板阀控制所述预注入腔室与所述注入腔室连通或隔开，所述注入电极设置在所述注入腔室内。本发明不但能够实现大面积基片的浅结离子注入，而且能大大缩短注入前的真空预抽时间，从而提高注入的效率，还能降低大气中的杂质离子的引入从而减小注入污染，同时还能降低大气中的水蒸气、氧气等成份对注入腔室内壁的腐蚀破坏作用。 |
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