| 专利名称 | 半导体腔室用压片装置 | 申请号 | CN201110408402.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165375A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;屈芙蓉;陈瑶;刘传钦;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体腔室用压片装置 至半导体腔室用压片装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体腔室用压片装置包括反应腔室、压片架和载片机构；所述压片架设置在所述反应腔室的上半部；所述反应腔室设置有腔室内衬，所述腔室内衬与所述压片架连接；所述载片机构设置在所述压片架下端。本发明提供的导体反应腔室用压片装置，不仅增大了送片空间，易于实现快速送片，而且提高压片架的结构稳定性，进而提高压片质量和压片效率。 |
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