| 专利名称 | 混合存储器件及其控制方法、制备方法 | 申请号 | CN201110409493.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165172A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青 | 主分类号 | G11C11/22(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/22(2006.01)I | 专利有效期 | 混合存储器件及其控制方法、制备方法 至混合存储器件及其控制方法、制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种混合存储器件及其控制方法、制备方法。该混合存储器件包括：铁电存储单元；及形成于铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元；混合存储器件在两种存储模式间切换：在第一种存储模式中，阻变存储单元作为存储模块，铁电存储单元作为选通模块；在第二种存储模式中，阻变存储单元处于低阻态，铁电存储单元作为存储模块。本发明综合利用了FeRAM存储方式和RRAM存储方式的优点，在单块芯片上实现了两种不同的存储方式，从而可以满足不同方式的存储需要。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障