| 专利名称 | 一种等离子体浸没注入电极结构 | 申请号 | CN201110412530.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165377A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘杰;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种等离子体浸没注入电极结构 至一种等离子体浸没注入电极结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及等离子体浸没注入技术领域，具体涉及一种等离子体浸没注入电极结构。所述等离子体浸没注入电极结构，由内到外依次包括注入电极、绝缘层和屏蔽层，所述注入电极与提供偏置电压的偏置电源连接，所述绝缘层用于所述注入电极和所述屏蔽层的隔离和绝缘，所述屏蔽层接地。本发明采用的电极结构能够明显降低注入时的边缘效应，从而增加注入均匀性，同时减小注入时的溅射污染。 |
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