| 专利名称 | 电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置 | 申请号 | CN201110421748.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103165383A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 窦伟;李楠;李超波;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置 至电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种电感耦合等离子体线圈，包括：若干组处于同一平面内的射频线圈；每组所述射频线圈由两组U型回折矩形线圈耦合而成；每组所述U型回折矩形线圈包括两个长直线段，一个短直线段。还公开了一种设置有上述等离子体线圈的电感耦合等离子体注入装置。本发明提供的电感耦合等离子体线圈及注入装置，一方面能够减少线圈中的驻波效应，增加等离子体的均匀性。另一方面能够更好地实现阻抗匹配，增加等离子体的耦合效率，降低由于过高的电压导致石英窗溅射从而造成样片污染的可能性，还能够在大面积反应腔室中产生大面积，均匀的高密度等离子体，以满足微电子领域的实验室以及工业上的需求。 |
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