| 专利名称 | 一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路 | 申请号 | CN201110427584.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103163935A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜宇;郭桂良;阎跃鹏 | 主分类号 | G05F3/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路 至一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路，包括启动模块用于启动电流产生模块，当电流产生模块开始工作后，启动模块退出工作；电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流；基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压，产生一个与温度无关的基准电压；基准电流产生模块由基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流，该与绝对温度互补的电流与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。本发明提供的电路，利用一个正温度系数的电流和一个负温度系数的电流结合产生与温度无关的基准电流。而现有技术中由基准电压与电阻的比值实现的基准电流却受温度的影响。 |
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