| 专利名称 | Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法 | 申请号 | CN201110415867.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103160910A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 周燕飞;陈立东;吴汀 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I | 专利有效期 | Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法 至Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法，包括：按8.24～8.4：16：30的摩尔比配制Ba、Ga和Ge单质，置于石墨坩埚中抽真空封装于真空炉中，1100～1200℃下保温9～12小时，缓慢冷却至室温，得纯相Ba8Ga16Ge30多晶体；以及将纯相Ba8Ga16Ge30多晶体研磨成粉末，置于石墨坩埚、密封、放入坩埚下降炉中，抽真空，缓慢升温至1100～1200℃保温2～3小时使其全部熔融，以0.1～6.0mm/小时的坩埚下降速率调整石墨坩埚位置以使晶体生长的固液界面的温度梯度控制在20～60℃/cm进行单晶生长。采用坩埚下降法，可根据坩埚的形状和尺寸获得多种尺寸和形状的晶体。 |
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