| 专利名称 | 一种在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法 | 申请号 | CN201310059785.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103160900A | 公开（授权）日 | 2013.06.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 佘广为;齐小鹏;师文生 | 主分类号 | C25D9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D9/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法 至一种在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及在导电基底上制备Fe2O3纳米管阵列的方法。本发明是以载有ZnO纳米棒阵列的导电基底作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以含有FeCl2的水溶液作为电解液；通过对所述的工作电极施加恒定正电位（相对于参比电极），使得工作电极附近的电解液中的Fe2+被氧化为Fe3+并形成FeOOH沉淀物，FeOOH沉淀物在ZnO纳米棒的表面不断沉积，同时ZnO纳米棒逐渐溶解直至完全消失，形成FeOOH纳米管阵列，从而得到生长有FeOOH纳米管阵列的导电基底；然后在管式炉中进行高温退火，使FeOOH纳米管阵列转化为Fe2O3纳米管阵列，在导电基底上得到Fe2O3纳米管阵列。 |
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