核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法

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专利名称 核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法 申请号 CN201310065058.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103159501A 公开(授权)日 2013.06.19 申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 佘广为;齐小鹏;师文生 主分类号 C04B41/50(2006.01)I IPC主分类号 C04B41/50(2006.01)I;C01G49/06(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 专利有效期 核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法 至核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明属于半导体纳米材料制备领域,尤其涉及一种核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法。本发明首先通过化学刻蚀法在单晶Si片上得到Si纳米线阵列,然后再通过浸泡含有Fe(NO)3的乙醇溶液,使得Si纳米线的表面吸附上Fe(NO)3,最后在高温炉中加热吸附有Fe(NO)3的Si纳米线阵列,使得Fe(NO)3热分解为Fe2O3,从而得到以Si为核,以Fe2O3为壳的核壳Si/Fe2O3纳米线阵列。

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