| 专利名称 | 微电子产品多场服役特性测试仪 | 申请号 | CN201220715484.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202994938U | 公开（授权）日 | 2013.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 崔学顺;郭敬东;祝清省;刘志权;吴迪;张磊;曹丽华 | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 微电子产品多场服役特性测试仪 至微电子产品多场服役特性测试仪 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种微电子产品多场服役特性测试仪，属于微电子产品可靠性测试与评估设备技术领域。该测试仪采用分体结构，由控制柜和实验箱两部分组成。温度控制系统，电流加载系统和信号测试及采集系统集成在控制柜内。温度控制系统控制冷却系统和加热器调整实验箱内的温度及温度变化；电流加载系统对待测样品施加电流载荷；信号测试及采集系统测试、采集和存储待测样品的电压和电阻信号。低温制冷系统经制冷管道与实验箱连接。实验箱由箱体外壳、保温层、透明观察窗、加热器、风机、样品支持系统组成，样品支持系统由样品托架，测试板、引线转连接接口构成。本实用新型可以实现微电子产品在多场条件下的加速服役特性测试及服役寿命预测。 |
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