| 专利名称 | 纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 | 申请号 | CN201310062552.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103145092A | 公开（授权）日 | 2013.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 至纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括：印章体，其底面具有待加工纳米图形的反相图形；保护层，至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面，其材料为抗腐蚀液的材料；以及金属催化层，至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上，其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。本发明纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法中，在印章体上预先制备好了需要的纳米结构，通过金属催化腐蚀的手段可以直接将图形转移到衬底表面，图形化过程简单，无需附加掩模层，简化了纳米结构制备的工艺流程。 |
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