| 专利名称 | 倒装四结太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310093058.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103151413A | 公开（授权）日 | 2013.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 倒装四结太阳电池及其制备方法 至倒装四结太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。 |
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