| 专利名称 | 一种氧化铬-石墨烯纳米片的制备方法及其制得的氧化铬-石墨烯纳米片材料 | 申请号 | CN201310043761.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103151501A | 公开（授权）日 | 2013.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明（设计）人 | 李家星;赵桂霞;王祥科 | 主分类号 | H01M4/36(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M4/36(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种氧化铬-石墨烯纳米片的制备方法及其制得的氧化铬-石墨烯纳米片材料 至一种氧化铬-石墨烯纳米片的制备方法及其制得的氧化铬-石墨烯纳米片材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的目的是提供一种氧化铬-石墨烯纳米片材料的制备方法，主要是石墨烯为模板，铬酸盐为铬源，在水热条件下铬酸盐在石墨烯原位通过氧化碳原子得到水合氧化铬-石墨烯纳米片，然后进行热焙烧处理得到晶化的氧化铬-石墨烯纳米片。本方法生产工艺简单，绿色环保，易于工业化大规模生产。该法制备的氧化铬-石墨烯纳米片纯度高，比表面积大。可用于催化合成和功能材料等领域，特别是锂电材料领域具有广阔的应用前景。 |
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