| 专利名称 | 一种存储器检错纠错码生成方法 | 申请号 | CN201310086965.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103151078A | 公开（授权）日 | 2013.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周玉梅;王雷;戴睿;刘海南;蒋见花 | 主分类号 | G11C29/42(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C29/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种存储器检错纠错码生成方法 至一种存储器检错纠错码生成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于存储器加固的检错纠错码的生成方法。该方法包括：根据原始数据位宽和所需纠检错能力预估校验位个数；初始化校验矩阵；从待检验的校正子向量池中逐个搜索符合线性独立要求的校正子向量填入校验矩阵；记录每次搜寻所产生的完整的校验矩阵，并改变向量搜寻的起始位置，重新进行搜索直至搜寻的起始位置穷尽整个校正子向量池；如果没有得到完整的校验矩阵，则增加校验位个数，并重复执行步骤2至4；如果有多个完整的校验矩阵，则从中选择一个最优的校验矩阵作为检错纠错码。采用本发明所提出的方法可以大大加快各种存储器加固编码的生成速度，无需再对各种编码算法进行研究便可得到较优结果。 |
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