| 专利名称 | 一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法 | 申请号 | CN201310068591.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103144023A | 公开（授权）日 | 2013.06.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;苏永波;金智 | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I | IPC主分类号 | B24B37/04(2012.01)I | 专利有效期 | 一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法 至一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法，该方法包括：将InP衬底与UV粘膜键合，形成UV键合InP衬底；使用真空吸盘吸附该UV键合InP衬底，将该UV键合InP衬底需要CMP的表面垂直向下侵入CMP抛光浆液中进行CMP抛光；清洗抛光后的该UV键合InP衬底；以及将该UV键合InP衬底放入UV去胶机进行UV照射，去除UV粘膜。本发明采用了UV粘胶固定InP材料，采用改进的纳米聚四氟乙烯凝胶进行CMP抛光，采用N2喷射进行CMP搅拌，制作出的InP低厚度高精密抛光镜面效果，大大降低了传统CMP工艺的损伤效果。 |
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