| 专利名称 | 钕铁硼磁体材料表面发黑处理层与有机涂层双层防护方法 | 申请号 | CN201210460811.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102965650A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 李庆鹏;管勇;刘建国;严川伟 | 主分类号 | C23C22/17(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C22/17(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I | 专利有效期 | 钕铁硼磁体材料表面发黑处理层与有机涂层双层防护方法 至钕铁硼磁体材料表面发黑处理层与有机涂层双层防护方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及钕铁硼磁体材料的表面防护技术，具体为一种钕铁硼磁体材料表面发黑处理层与有机涂层双层防护的方法。首先对钕铁硼除油、除锈、砂纸打磨；然后将钕铁硼浸于发黑液中8~15min，生成一层氧化膜；水洗晾干后，再涂覆一层有机涂料，固化形成有机涂层。本发明针对目前电镀、化学镀等一些表面防护方法前处理复杂、苛刻，且防腐性能又一般等问题。采用发黑处理层与有机涂层双层防护的表面处理技术，工艺简单，且不需经过复杂的前处理，在保证涂层与基体的结合力、磁性能不受影响的前提下，较大程度的提高涂层的耐中性盐雾腐蚀性能。 |
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