| 专利名称 | 等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法 | 申请号 | CN201010209823.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102296263A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘邦武;王文东;夏洋;李超波;罗小晨;李勇滔 | 主分类号 | C23C4/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/10(2006.01)I;C23C4/12(2006.01)I;C23C4/02(2006.01)I | 专利有效期 | 等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法 至等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法包括对基材进行喷砂处理；及对喷砂处理后基材进行喷涂Y2O3处理。本发明采用Y2O3粉末作为喷涂材料改性处理腔室内表面，Y2O3涂层具有更加稳定的耐等离子蚀刻性能，可以延长零部件的寿命，并且在刻蚀工艺过程中减少颗粒。本发明改性处理过程中采用空气喷吹方法或者循环冷却水方法来冷却基材，提高了基材的冷却速度，防止刻蚀工艺腔在等离子喷涂过程中发生变形、融化，提高了刻蚀工艺腔的成品率。 |
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