| 专利名称 | 基片离子均匀注入的方法 | 申请号 | CN201010209816.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102296275A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/48(2006.01)I | 专利有效期 | 基片离子均匀注入的方法 至基片离子均匀注入的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基片离子均匀注入的方法，包括通过电感耦合的放电方式使掺杂源腔室在高气压下放电产生高密度等离子体；等离子体通过隔板均匀扩散到离子注入腔室；及在注入电极脉冲偏压作用下，离子注入腔室的等离子体中的离子加速注入到基片中。通过本发明提供的方法能在大面积基片上实现离子均匀注入。 |
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