| 专利名称 | 硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置 | 申请号 | CN201210139758.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102646620A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张冶金;郑婉华;渠红伟 | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置 至硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置，包括：一下施力盖板，该下施力盖板为圆片状；一下承接托，该下承接托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下施力盖板之上；一上施力托，该上施力托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下承接托之上；其中在下承接托和上施力托之间通过多个定向圆柱插置连接，在下承接托和上施力托之间还有两个保护陪片，该两个保护陪片上下叠置；一平凸透镜，其位于上施力托之上；一上施力盖板，该上施力盖板为圆片状，其位于平凸透镜之上。本发明特点在于整个轴向压力施加方法，不是采用直接的加压方式，而是加入找平部件，承力部件及保护部件等，实现均匀施压，目标晶片可以给予更大的压力而不碎裂，进而实现更牢固的键合。 |
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