| 专利名称 | 硅片打孔系统及方法 | 申请号 | CN201010226293.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102330089A | 公开（授权）日 | 2012.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | C23F1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F1/08(2006.01)I;C23F1/10(2006.01)I | 专利有效期 | 硅片打孔系统及方法 至硅片打孔系统及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅片打孔系统包括：提供氢氟酸的氢氟酸储罐、提供臭氧的臭氧发生器、提供CO2的二氧化碳气瓶，用于形成所述氢氟酸、所述臭氧及所述CO2的混合流体且使所述混合流体中的CO2达到超临界态的控制装置及用于对硅片打孔的反应腔室；所述氢氟酸储罐、所述CO2气瓶及所述臭氧发生器的出口与所述控制装置的入口连接，所述控制装置的出口与所述反应腔室的入口连接。本发明还公开了一种打孔方法包括：形成含超临界态CO2、氢氟酸及臭氧的混合流体；及使用所述混合流体对硅片进行打孔处理。根据本发明的硅片打孔系统及方法，在硅片打孔时，可降低对硅片的损伤。 |
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