| 专利名称 | 一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法 | 申请号 | CN201110242247.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102950273A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 赵九洲;江鸿翔 | 主分类号 | B22D27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B22D27/02(2006.01)I;B22C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法 至一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于合金线材制备技术，具体地说是一种具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材的制备方法。采用直流电场作用下的连续凝固技术，凝固速度在5-50mm/s，通过选取偏晶型合金和绝缘材料(如金属氧化物陶瓷、氮化硼等)为坩埚(或坩埚、结晶器内壁的涂层)材料，采用直流电场作用下的连续凝固技术，制备具有弥散相面表层的偏晶合金复合线材。本发明通过选取适当的偏晶型合金(如Al-Pb、Al-Bi、Cu-Co系合金等)及绝缘材料(如金属氧化物陶瓷、氮化硼等)为坩埚(或坩埚、结晶器内壁的涂层)材料，在直流电场作用下进行连续凝固，使偏晶合金液-液相变过程中的弥散相液滴向试样表面迁移并形成弥散相层，制备具有弥散相表面层的偏晶合金复合线材，满足工业需求。 |
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