| 专利名称 | 阱区的形成方法和半导体基底 | 申请号 | CN201110144978.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810501A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/74(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 阱区的形成方法和半导体基底 至阱区的形成方法和半导体基底 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体技术领域的阱区的形成方法和半导体基底，一种所述方法包括：在半导体衬底上形成隔离区，以隔离有源区；选定至少一个所述有源区，在选定的所述有源区内形成第一阱区；以掩模覆盖选定的所述有源区，刻蚀剩余的所述有源区，以形成凹槽；外延生长半导体材料，以填充所述凹槽。另一种所述方法包括：在半导体衬底内形成隔离区，以隔离有源区；在所述有源区内形成阱区；刻蚀所述有源区，以形成凹槽，所述凹槽的深度小于或等于所述阱区的深度；外延生长半导体材料，以填充所述凹槽。所述半导体基底，包括：材料不同的半导体衬底和修正半导体区。本发明去除了穿过隔离结构进行横向扩散的掺杂离子，保证了半导体器件的阈值电压稳定。 |
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